中國半導體產業將進入產業大發展的戰略機遇期。全球半導體產業步入產業轉移期，發達國家向高端產業鏈轉移。同時，全球半導體業實施輕晶圓廠(Fab-lite)策略，將芯片制造向新興國家轉移。Motorola將全球28個Fab縮減至9個，僅保留有優勢的Fab。中國半導體產業人才、技術、市場、資金條件不斷成熟，具備迎接全球半導體產業轉移的客觀條件。
中國半導體設計、制造、封測同步發展，結構日趨合理，產業鏈逐步完善。封測業曾經一度占到中國半導體產業產值的70%以上。近年來，設計和制造業快速發展，封測相對發展緩慢，三足鼎立局面形成。半導體產業垂直分工日益細化促使產業鏈各環節之間合作意愿加強。全球第三大芯片代工廠中芯國際表示愿為國內中小型IC設計公司提供服務。IC設計、制造和封測業的創新能力不斷加強。
半導體IC（IntegratedCircuit）設計產業活躍發展。中國半導體IC設計能力整體提升。以市場為導向，按照消費者的需求進行產品創新。IC設計已經在多媒體播放器、數字電視、FM、藍牙、USB等領域取得突破。未來2~3年，IC設計將在智能手機、3G、互聯網多媒體終端等進行創新。立足本土市場的同時，中國的IC設計積極尋求海外發展機會。IC設計企業正醞釀登陸國內外資本市場，吸引更多的風險投資與高端人才。泰景、銳迪科、格科微、杭州國芯等準備登陸創業板或NASDAQ。IC加快行業整合重組，提高了市場反應速度和風險抵御能力。
中國半導體封裝測試企業快速成長。封測業務外包已成為國際IC大廠的必然選擇，全球封測業務向中國轉移加速。從2007年至今已有10多家IDM企業的封測工廠關閉。中國封測在技術上開始向國際先進水平靠攏。本土封裝企業快速成長。江陰長電、南通富士通、天水華天等實力較強的公司已成功上市。
半導體設備和材料的研發水平和生產能力不斷增強。半導體設備制造業的發展得益于半導體產業的升級加速。本土企業半導體制造設備的研發水平提高，表現不俗。格蘭達自主研發的全自動晶圓檢測機已于2008年實現上市銷售。北方微電子研制出100納米等離子刻蝕機、LED的刻蝕機，獲得多家客戶認證。加大對更高技術要求的半導體制造設備的研發將成為未來發展趨勢。
國內市場需求旺盛，半導體市場前景廣闊。受PC、手機的快速增長的利好，2010年全球半導體市場預計增長10.2%。國內PC、手機、消費電子產品產能的擴大也有力的推動半導體產業的發展。09年中國手機產量6.1億部，占全球的50%；PC產量1.8億臺，占60%；彩電產量9900萬臺，占50%。中國半導體產業2010年第一季度實現銷售收入297.77億元，同比增長46.8%。物聯網、低碳、智能電網、光伏產業等新興產業迅速崛起，將使半導體產業受益。新興產業會使用大量的集成電路或半導體分立器件，例如LCD和LED的驅動電路、太陽能電池的逆變器。越來越多的企業IT部門購買和升級通訊設備需求也會帶來機會。
國內相關政策的出臺，為中國半導體產業提供了便利和激勵。一直以來，國家在稅收、資金、土地、基礎設施等政策方面的支持力度很大。“核高基”專項與“02”專項已經開始實施，第一批專項資金已發放。國家曾以財政補貼方式推廣半導體照明產品1.5億只。新的《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策》將在2010年年內出臺。與“18號文件”相比，新政策加大了扶持力度，擴展了覆蓋范圍。家電下鄉、家電以舊換新、汽車下鄉等經濟刺激政策擴大對半導體產品需求。2009年頒布的《電子信息產業調整和振興規劃》為半導體產業帶來新的希望。
看好中國半導體市場前景，外資紛紛涌入本土市場。有利于縮短在技術方面與發達國家之間的差距，建成一流的制造企業。可以帶來充足資金，減少企業、當地政府的財政負擔。不久前，摩根士丹利參與中芯國際配股，成為中芯第四大股東。
太陽能電池產業
中國太陽能電池產業近年來高速發展，承擔了全球近一半的產能，產品主要銷往歐洲國家。2009年世界太陽電池總產量為9340MW，中國太陽能電池產量為4382MW，占全球產量的46.92%，但95%以上產品出口國外。2008年全世界太陽能電池總產量達6850MW，中國太陽能電池總產量達1780MW，占全球總量的26%。其中，國內太陽能電池龍頭廠無錫尚德2008年產量約為500MW，排名全球第三。天威英利產出281.5MW，天合光能產出約200MW。
太陽能光伏整體產業最近幾年發展勢頭迅猛，產業鏈各個環節表現都較為突出。2009年，全國的多晶硅產量已達到1.8萬噸～2萬噸，2009年，中國太陽能光伏組件產量為2500MW左右，占全球的3成左右。2009年，太陽能光伏發電安裝量為160MW，超過過去幾十年累計安裝量的總和。
太陽能產業多晶硅原料供給過度依賴海外的矛盾逐漸緩解
2008年之前，太陽能上游的多晶硅產業的提純核心技術主要掌握在國外七大廠商手中。美國的Hemlock，挪威的REC、美國的MEMC、德國的Wacker、日本的Tokuyama、MitsubishiMaterial和SumitomoTitanium。他們壟斷了全球的多晶硅料供應，獲得了太陽能產業最豐厚的利潤。
原料依賴進口是制約中國太陽能電池發展的一大瓶頸。這一矛盾在2009年將得到很大程度的改善，2010年中國多晶硅供需關系的矛盾得到解決。中國雖然已經成為太陽能電池生產大國，但是2007年以前多晶硅供給能力卻少的可憐。2007年中國多晶硅需求量超過1萬噸，但是供給量卻只有1130噸。2008年全年多晶硅需求量超過17000噸，供給量也僅有4110噸，缺口較大，太陽能電池產業原料對進口依賴度較高。隨著前期建設的多晶硅生產線陸續投入生產，且生產水平穩步提高，2009年中國多晶硅需求缺口已經降至6000噸。預計2010年中國多晶硅供需平衡關系將會逆轉，全年多晶硅供給量將首次超過需求量。
三年來，國內諸多小型企業盲目投資多晶硅項目，導致產能過剩。工業和信息化部、國家發改委在《2009年中國工業經濟運行夏季報告》中指出，2009年上半年，國內已立項的多晶硅項目超過50個，投資規模將超過1300億元，總產能超過23萬噸。倘若這些產能全部實現，相當于全球多晶硅年需求量的兩倍。工信部指出，太陽能光伏等新興產業的供給速度將遠超需求速度，近期中國光伏產業將出現過剩。2009年，多晶硅的暴利時代已經出現拐點；短期來看，國內在建多晶硅廠受到的沖擊最大，這些龐大的投資可能尚未產生效益即成為投資商沉重的包袱。
政府出臺的相關政策助推太陽能產業的井噴發展
2003年10月，國家發改委、科技部制定出未來5年太陽能資源開發計劃。發改委“光明工程”將籌資100億元用于推進太陽能發電技術的應用。計劃到2005年全國太陽能發電系統總裝機容量達到300兆瓦。
2009年3月，財政部制定了《關于加快推進太陽能光電建筑應用的實施意見》和《太陽能光電建筑應用財政補助資金管理暫行辦法》。中央財政安排專門資金，對符合條件的光電建筑應用示范工程予以補助，以部分彌補光電應用的初始投入。出臺相關財稅扶持政策的地區將優先獲得中央財政支持。
2009年7月21日，財政部、科技部、國家能源局聯合發布了《關于實施金太陽示范工程的通知》，決定綜合采取財政補助、科技支持和市場拉動方式，加快國內光伏發電的產業化和規模化發展。三部委計劃在2-3年內，采取財政補助方式支持不低于500兆瓦的光伏發電示范項目，據估算，國家將為此投入約100億元財政資金。重點扶持用電側并網光伏,對并網光伏發電項目，原則上按光伏發電系統及其配套輸配電工程總投資的50％給予補助。其中偏遠無電地區的獨立光伏發電系統按總投資的70％給予補助；對于光伏發電關鍵技術產業化和基礎能力建設項目，主要通過貼息和補助的方式給予支持。除對具體的發電工程實行補助之外，光伏發電關鍵技術產業化示范項目以及標準制定，也被列入補貼的范疇之內。其中就包括了硅材料提純、控制逆變器、并網運行等關鍵技術產業化項目，以及太陽能資源評價、光伏發電產品及并網技術標準、規范制定和檢測認證體系建設等。
中國《新興能源產業發展規劃》已經上報國務院，該計劃指出，2011～2020年，中國將對能源產業累計直接增加投資5萬億元。根據其具體細分，除核電和水電之外，可再生能源投資將達到2萬億-3萬億元，其中風電將占約1.5萬億，太陽能投資則達到2000億-3000億。《新興能源產業發展規劃》初步計劃到2020年中國的水電裝機容量達到3.8億千瓦，風電裝機1.5億千瓦，核電裝機大約7000-8000萬千瓦，生物質發電3000萬千瓦，太陽能發電裝機容量達到約2000萬千瓦。相比2007年頒布的《可再生能源中長期發展規劃與核電中長期發展規劃》，風電、太陽能光伏及核電產業發展目標分別為原先規劃的5倍、11倍和2倍。
太陽能行業發展的關鍵技術已經列入國家級研發計劃中。中國先后提出針對薄膜電池、敏化電池技術的973計劃。針對基礎裝備和材料，如碲化鎘、硒銦銅、薄膜硅電池技術已經列入863計。兆瓦級光伏技術應用和關鍵技術問題已經列入科技攻關計劃。
財稅方面，光伏企業固定資產、所得稅及出口退稅方面都有不同程度的優惠。各地提出的允許光伏產品由生產型轉向消費型的增值稅轉型優惠，光伏企業固定資產可以抵扣列入《公共基礎設施項目企業所得稅優惠目錄》。光伏企業所得稅第一年至第三年免征，第四年到第六年減半；在《高新技術企業認定管理辦法》中。太陽能光伏技術和發電技術企業所得稅稅率為15%，屬于國家鼓勵類項目，進口設備可免征進口關稅和進口環節增值稅。2009年國家兩次調高了光伏產品出口退稅率，使單晶硅棒退稅率達17%，單晶硅片為13%。
中國太陽能產業技術現狀
目前硅片電池仍是太陽能電池的主流，約占市場份額的90%，而薄膜電池發展更快，受到投資者熱捧。光伏產業內部，存在著不同的技術路線，一種是以硅材料為主，一種是以化學電池（碲化鎘等）為主，前者技術較為成熟，后者光電轉化率較高。在硅材料利用中，也有兩種不同技術路線，一種是晶硅電池，一種是非晶硅薄膜電池，前者轉換率較高，但成本、耗能也高，后者成本、耗能低，但衰減快、轉換率低。薄膜電池成本便宜，裝載至光伏系統后整體價格和其它能源相比劣勢更小，雖然目前晶體硅電池仍然占據主要地位，但是薄膜電池未來發展前景更為看好。
薄膜電池的比重近年來不斷上漲，有望成為今后5年的市場主力。2006年薄膜電池總產量達到249MW，占世界電池產量的10%。2007年薄膜電池產量達到470MW，占世界電池產量的12.6%。2008年薄膜電池產量達到840MW，占世界太陽能電池比重的14％。2009年薄膜電池達到1245MW，占世界太陽能電池比重的15％。
中國太陽能產業目前存在的主要問題及未來發展的機遇
在太陽能光伏產業鏈中，多晶硅的提純技術的突破將帶來近幾年的市場熱點。在整個太陽能光伏產業鏈中，中國企業多數進入的是位于后端的太陽能電池和組件的生產環節，多晶硅提純環節屬于中國制造業技術較為薄弱的環節。中國已投和在建的幾十家多晶硅廠，多數采用西門子改良工藝，一些關鍵技術中國還沒有掌握。在提煉過程中70%以上的多晶硅都通過氯氣排放了，不僅提煉成本高，而且環境污染非常嚴重。國內一些企業已將開始小規模嘗試物理法提純多晶硅，一旦技術成熟形成規模生產，多晶硅成本和耗能將大大降低，其投資成本約為西門子法的1/10。
放眼未來十年市場，非晶硅薄膜電池技術將成為業界中的佼佼者。對于不同薄膜電池的發展，雖然CIS（銅銦硒）和CIGS（銅銦硒鎵）電池轉換效率更高，但是工藝的不穩定性和原材料的稀缺性都限制了其發展。CdTe電池已經逐漸被市場所認可，生產也進入了大規模量產階段，成本仍有下降空間，未來幾年市場規模也將繼續擴大。不過從長期看鎘的毒性限制了CdTe電池的發展，市場潛力不如非晶硅薄膜電池。鎘、砷元素有毒，而銦則是微量元素，地殼中含量相對較小，據有關方面的統計，即使全球銦采集起來也僅能制造30GWp，同時其開采難度相對較大。相比而言，非晶硅電池在原料和工藝穩定性上都更具發展潛力，但非晶薄膜電池的轉換效率不高，衰退性能成為限制非晶薄膜發展的技術瓶頸。
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